Korean Journal of Materials Research, Vol.9, No.6, 604-608, June, 1999
대면적화된 마이크로파 플라즈마를 이용하여 실리콘 웨이퍼에 증착한 다결정 실리콘의 특성 연구
Characteristics of Polysilicon Films Deposited on Silicon Wafers with Enlarged Microwave Plasma
초록
차세대 반도체 제조롤 위하여 관련 산업계는 새로운 기술들의 개발을 필요로 하고 있다. 이와 갈은 필요에 부응하여 다양한 300mm 제조 기술이 개발되고 있다 .300mm 제조 기술에서 요구되는 여러 가능한 기술 중의 하나가 마이크로파 플라즈마를 이용한 화학 진공 증착법이다. 본 연구에서는 특별히 고안된 안테냐를 이용하여 마이크로파의 면적을 확대하여, 국내에서는 처음으로 대면적 다결정 실리콘 박막을 중착시키는 연구를 수행하였다. 그 결과 몇가지 중요한 결과가 도출되었다. 증착된 다결정 실리콘박막은 다양한 결정성을 보고, 300℃ 의 저온에서 중착하였음에도 불구하고 기판인 실리콘 웨이퍼와 에피 성장성도 보여 주었다. 또한 결정성은 증착 속도의 영향을 받는 것으로 나타났는데, 느린 증착 속도는 높은 결정성을 보여 주었다. 마이크로파 플라즈마 기술은 1G DRAM 시대를 위한 미래 기술 중의 하나로의 높은 가능성을 보여 주었다.
Semiconductor industry requires the development of new technology such as 300 mm technology, suitable for manufacturing the next generation dervices. A promising process for realizing 300 mm technology can be achieved by using enlarged microwave plasma chemical vapor deposition (MWCVD) technology. In this work, we used radial line slot antenna for enlarging microwave plasma area, and carried ut the deposition of polysilicon films using enlarged MWCVD for the first time in Korea. The results was as follows. Deposited polysilicon films showed various degrees of crystallinity as well as epitaxy to silicon substrates even at low temperature of 300℃ . Deposition rates also controled crystallization behavior and slo deposition rates showed very high crystallinity. It could be said that enlarged MWCVD system and technology was worth to get attraction as one os future technologies for 1 G DRAM era.
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