- (용어정리)CMP란?...
- 한수민 (2001/06/01)추천0 조회수2191
- 1980년대 말 미국의 IBM사가 기계적 연마 공정과 화학적 연마 가공을 하나의 공법으로 혼합한 CMP(Chemical Mechanical Planarization)를 새로운 반도체 소재의 연마공정으로 제시한 이후로, 이 CMP는 고집적 다층 회로를 요구하는 비메모리 반도체 제조분야에 있어 필수불가결한 공정으로 많은 발전을 거듭해오고 있다. 최근에는 전세계적으로 Cu 혹은 low-k material과 같은 새로운 기판구성 재료의 연마나, Damascene, Node Separation 등과 같이 보다 진보된 개념의 선택적 연마(Selective Polishing)에 적합한 새로운 CMP 공정을 개발하려는 추세를 보이고 있다. 이와 같은 발전 동향을 주시해 보면, 공정을 구성하는 기계적 하드웨어의 중요성이 크게 부각되던 기존의 CMP 공정에 비해, 최근에 개발되고 있는 CMP 공정에서는 연마를 직접적으로 담당하는 슬러리의 역할이 점점 증대되고 있는 것을 알 수 있다. 대표적인 것들로는, 슬러리를 구성하는 금속산화물 입자들의 나노(nano) 수준 입도분포 확보, 연마중인 슬러리에서 입자들의 고분산성 유지, 각종 작용기들을 이용한 입자의 표면 수식 등을 들 수 있다. 이와 같이 물리적이고 화학적인 특성이 정교하게 제어된 슬러리의 개발기술은 끊임없이 새롭게 요구되는 여러가지 형태의 CMP 공정들을 가능케하는 핵심 기술로 여겨질 가능성이 매우 높다 할 수 있다.
