- 실리콘 박판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지
- 국제 특허분류 : C01B-033/02, C01B-032/05, C23C-014/00, C23C-014/18, C23C-016/01, C23C-016/24, H01M-010/0525, H01M-004/36, H01M-004/38
- 출원번호/일자 : 10-2019-0094954 (2019/08/05)
- 공개번호/일자 : 10-2019-0093549 (2019/08/09)
- 출원인 : 울산과학기술원
- 실리콘 박판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것으로, 두께가 500nm 이하이고, 비표면적이 15 m 2 /g 이하인 실리콘(Si) 박판을 제공한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
