| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (04/20 ~ 04/21, 대구 인터불고 호텔) |
| 권호 | 12권 1호, p.1001 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Radio Frequency Reactive Magnetron Sputtering에 의해 증착된 Indium Zinc Oxide 박막의 전기적 특성과 광학적 특성 |
| 초록 | 최근에 태양전지는 화석연료를 대체하기 위한 차세대 에너지원으로 주목받고 있다. 투명전극은 태양전지의 효율적인 에너지 변환 과정에서 중요한 부분을 차지하고 있으며, 이러한 투명전극의 낮은 저항도(resistivity)와 높은 투과도(transmittance)를 얻기 위해 활발히 연구가 진행되고 있다. 현재 태양전지의 투명전극으로서 indium tin oxide (ITO)와 fluorine-doped tin oxide (FTO) 박막이 주로 사용되고 있다. 최근에 연구되고 있는 indium zinc oxide (IZO) 박막은 annealing 과정을 진행하지 않고도 낮은(1~3×10-4 Ω cm) 저항특성을 가지는 장점이 있다. 본 실험에서는 IZO 박막을 radio frequency (rf) reactive magnetron sputtering 방법으로 증착하였다. 박막 증착에서 주요 공정 변수로서 rf power를 설정하여 이에 따른 IZO 박막의 투과도와 저항도의 변화를 관찰하였다. IZO 박막의 증착속도를 측정하기 위해서 surface profilometer가 사용되었고, 투과도와 저항도를 측정하기 위해 각각 UV/Visible spectrophotometer와 four-point probe를 사용하였다. 증착 공정의 변수에 따른 표면의 거칠기를 조사하기 위해서 atomic force microscopy가 사용되었다. 이러한 분석들을 이용하여 rf power가 증가할수록 IZO 박막의 증착속도와 투과도가 증가하는 경향과 저항도가 감소하는 것을 관찰할 수 있었다. 또한 rf power가 증가함에 따라서 박막 표면의 거칠기는 증가하는 것이 관찰되었다. |
| 저자 | 조한나, 정지원, 민수련, 이장우 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | indium zinc oxide; sputter; rf power |
| 원문파일 | 초록 보기 |
