| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 |
19권 2호 |
| 발표분야 |
C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 |
급속열처리를 이용한 비정질 실리콘 박막의 고상 결정화 연구 |
| 초록 |
고상결정화는 디스플레이와 Silicon on insulator (SOI) 기술의 발달로 활발히 연구되어 졌다. 고상성장 (Solid Phase Epitaxial, SPE)을 위한 방법들은 다양하다. 본 연구는 급속열처리공정 (Rapid Thermal Process, RTP)을 이용하여 비정질 실리콘 박막의 고상성장에 관한 내용이다. 비정질 실리콘 박막은 radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD)을 이용하여 약 60nm 증착하였다. 고상성장을 위해 400도 부터 1000도까지 급속열처리공정 (RTP) 을 통해 비정질 실리콘 박막의 상변화를 spectroscopic ellipsometer (SE) 와 high resolution transmission electron microscope (HR-TEM) 을 통하여 관찰하였다. 비정질 실리콘 박막은 600도에서 5분간 급속열처리 공정 시에 상변화가 발생하는 것을 확인하였다. 또한, 결정질 실리콘 태양전지의 에미터를 형성하는데 급속열처리공정 (RTP) 을 통한 고상성장법 (SPE) 을 이용하였다. 이를통해 16.7% 태양전지를 제작하였다. |
| 저자 |
김현호1, 박효민1, 박성은1, 이해석1, 지광선2, 안세원2, 이헌민2, 김동환1
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| 소속 |
1고려대, 2LG전자 |
| 키워드 |
Amorphous silicon(비정질 실리콘); Solid phase epitaxy(고상 성장법); Crystallinity(결정화); Emitter(에미터); Silicon solar cells(실리콘 태양전지)
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