| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 봄 (04/21 ~ 04/22, 한양대학교) |
| 권호 | 6권 1호, p.2017 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | SiO2와 Si 표면에서의 수소 원자 재결합 확률값의 수치적 해석에 의한 측정 |
| 초록 | 1950년대 이래로, 반도체 소자 제조 공정에 있어서 SiO2와 Si 표면의 청정성이 중요한 문제로 대두되어 왔다. 특히 미세 제조 공정이 웨이퍼나 소자 표면의 오염물질에 의하여 실리콘 회로의 작용 능력, 신뢰성, 수율 등이 심하게 영향을 받기 때문에 건식 세정에 있어서 SiO2와 Si 표면에서 수소 원자의 재결합과 그 반응 메커니즘의 이해가 중요하게 되었다. 하지만 절연막과 반도체막 등의 중요 성분인 SiO2, Si 표면에서의 수소 원자의 재결합 반응성과 수소 원자의 반응 메커니즘은 아직 연구가 미흡한 실정이다. 본 연구에서는 SiO2와 Si 표면 위에서 수소 원자의 표면 확산과 반응성을 연구하기 위해서 수소 원자의 재결합 가능성인 γA값을 수치적 해석에 의해 측정하였다. |
| 저자 | 문수현, 김영채, 문세기 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | Atom Recombination Probability; Plasma; Hydrogen; SiO2; Si |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
