화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔)
권호 21권 2호
발표분야 G. 나노/박막 재료
제목 Sputtered Al 박막 특성에 따른 부식 특성 분석
초록 전자 패키지 (Electronic Package)에서 Si Chip과 외부 회로 (External Circuitry)와의 전기적 연결이 매우 중요하며, Wire bonding technology가 현재 전기적 연결의 대부분을 차지하고 있다. 또한 주로 Al pad와 Au wire와의 metallurgical bonding가 전자 패키지에 적용되고 있다.[1] 최근 대부분의 Device가 미세화 되고 있으며 따라서 package 구조도 미세화 되고 있는 실정이다. 현재 가장 문제가 되고 있는 것은 package의 신뢰성이다. 특히 corrosive environment에서 Al pad가 corrosion에 의해서 신뢰성 저하를 일으키고 있다.[2] 또한 환경오염에 의한 corrosive species와 고온 다습화 되고 있는 기후 변화는 device의 미세화에 맞춰 신뢰성 하락을 심화시키고 있다. 따라서 다양한 corrosion species를 갖고 고온 다습한 환경에서 높은 신뢰성을 유지할 수 있는 Al을 증착하는 것이 중요해지고 있다.
일반적으로 박막의 부식 특성은 박막의 다양한 특성에 영향을 받는다. Sputter로 증착된 Al 역시 그러한 특성을 보일 것으로 보인다. 본 연구에서는 성장온도, 박막두께 등 다양한 성장조건에 따라 Sputter로 증착된 Al 박막의 구조적 특성을 포함한 다양한 특성을 분석하였다. 또한 박막의 특성이 1 M HCl에서 부식정도에 어떠한 영향을 미치는 지를 전기화학 분석을 통해 확인하였다. 이러한 연구를 통해 박막의 구조적 특성이 부식정도에 큰 영향을 미치는 것을 확인하였으며, Sputtered Al의 부식을 줄이기 위한 최적의 공정과 박막 특성을 확인할 수 있었다.

참고문헌
[1] G. Harman, “Wirebonding in Microelectronics” Chap. 5, McGraw Hill, New York (2010).
[2] S. H. Ahn, T. J. Cho, Y. S. Kim, and S. Y. Oh, “Prevention of aluminum pad corrosion by UV/ozone cleaning,” Proc. 46th ECTC, p.107 (1996).
저자 김형준1, 장진욱2, 오일권1, 윤창모1
소속 1연세대, 2삼성전자
키워드 Sputter; Al; corrosion
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