| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | Solid Phase Epitaxy 방법으로 성장시킨 Mn4Si7 , β-FeSi2 박막의 전, 자기적 특성 |
| 초록 | 전이 금속은 Si과 쉽게 반응하여 다양한 phase의 silicide를 형성하며, 특히, 전이 금속/단결정 Si 접합에서 계면에 형성되는 silicide는 많은 응용성을 가지고 있다. 이들 전이금속 silicide는 전기적 특성에 따라 금속형과 반도체형 silicide로 구분된다. 일반적으로 대다수의 전이금속 silicide(TiSi2, PtSi2, Pd2Si, CoSi2등)는 금속형으로써 이들이 갖는 낮은 비저항, 오옴성 접합, 열적 안정성등으로 인하여 VLSI에서 gate 전극이나 interconnection으로 이용되고 있다. 이에 반해 CrSi2, ReSi2, β-FeSi2, Mn4Si7등 극히 일부에 지나지 않으나 반도체 형 실리사이드는 비교적 높은 비저항, 정류 특성, 낮은 전하운반자 농도등 반도체의 측성을 지니고 있다. 본 연구는 고 진공하의 MBE chamber에서 전이 금속 중 Mn과 Fe를 각각 Si 기판에 증착, Solid phase epitaxy방법으로 Mn4Si7, β-FeSi2를 성장하였다. 이를 위하여 Si기판 위에 약 300~400Å의 Mn과 Fe를 증착, 진공과 N2분위기에서 각각 400℃~ 800℃ 범위의 온도영역에서 열처리 후 XRD(X-Ray diffratometor)와 TEM(Transmission Electron Microscopy)을 이용하여 조사하였다. 그와 함께 MPMS(Magnetic Properties Measurement System)와 Hall 측정을 이용하여 각각의 시료의 자기적, 전기적 특성을 조사하였다. 감사의 글 본 연구는 Research Center for Advanced Magnetic Materials(ReCAMM, 충남대학교)과 Brain Korea 21사업(BK 21, 교육인적자원부)의 지원으로 수행하였습니다. |
| 저자 | 유상수1, 서상원1, 임영언1, 김도진1, 김효진1, 김창수2, 류현2, 오상준3 |
| 소속 | 1충남대, 2한국표준과학(연), 3한국기초과학(연) |
| 키워드 | silicide; solid phase epitaxy |
