| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | RF 스퍼터링 방식으로 제작된 ZnO 박막에서 ZnO 버퍼층 두께에 따른 영향 |
| 초록 | Radio frequency(RF) 마그네트론 스퍼터링 방식을 사용하여 Si(111)기판 위에, zinc oxide(ZnO) 박막을 ZnO 저온버퍼층을 도입하여 증착하였다. 지난 실험에서 저온버퍼층의 실시간 열처리와 열처리온도로 승온 시의 분위기 가스가 ZnO 박막의 결정학적 또는 광학적 특서에 어떤 영향을 주는 지에 대한 고찰을 하였다. 본 실험에서는 성장원자들이 박막표면에서 이동을 쉽게 할 수 있게 400℃로 기판의 온도를 유지한 상태에서 버퍼층을 성장했고, ZnO 박막의 성장 전에는 실시간 열처리를 위해 600℃로 승온 중과 승온 후 15분의 열처리시간동안 아르곤을 유입하였다. 성장압력을 3.0x10-2 Torr와 같이 낮게 유지했으며 유입 가스는 산소를 사용하여 성장하였다. 이 조건하에서 초기 버퍼층의 두께를 다르게 한 시편들의 광학적, 구조적 성질을 고찰하였다. 증착된 ZnO 박막들에 상온 광발광특성을 측정하여 발광현상을 관찰한 결과 30nm의 두께로 버퍼층을 성장한 시편의 자외선/녹색 발광영역비가 가장 우수했으며, 자외선 영역 피크의 반측폭이 가장 작은 것으로 보아 광특성이 상승하였음을 알 수 있다. 본 연구는 정보통신 진흥연구원의 지원에 의하여 실험되었습니다. 이에 감사드립니다. |
| 저자 | 박태은1, 조형균2 |
| 소속 | 1동아대, 2성균관대 |
| 키워드 | ZnO; Sputtering; Buffer layer |
