| 초록 |
본 연구에서는 ITO표면의 개질을 위해 biphenylethynyl을 몸통으로 갖는 신규 4-[(4-nitrophenyl)ethynyl]benzoic acid (NPBA) 물질을 합성하여 정공주입층으로 사용하였다. NPBA SAM은 분자골격이 rigid하여 분자배향성이 좋으며, 소수성 및 dipole특성이 개선되어 정공 주입의 용이성, 계면 특성, 표면 특성이 우수하다. 이와 같은 신규 SAM으로 개질화시킨 ITO를 MEH-PPV(poly[2-mehoxy-5-(2-ehylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]) 고분자로 구성되는 세로형 발광트랜지스터에 응용하여 고효율 고성능의 발광트랜지스터를 제작하였다. 소자구성은 ITO/PEDOT:PSS(SAM)/MEH-PPV/Al/MEH-PPV/Al으로 구성하여 ITO의 표면개질을 통해 트랜지스터에 적용함으로서 특성을 분석하였다. 제작된 발광트랜지스터의 구동전압을 측정하기 위하여 Source Measuring Unit(Keithely 2400)과 Newport 1830-c photodiode를 사용하여 전압에 따른 전류특성(Current-voltage, I-V)과 전압에 따른 발광특성(Radiance-voltage, R-V), 그리고 전압에 따른 외부발광효율(quantum efficiency-voltage)를 조사하였다. |
