| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
20권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 AgGaS2 단결정 박막 성장과 광발광을 이용한 이온화 에너지 연구 |
| 초록 |
AgGaS2 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 AgGaS2 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE) 방법으로 증발원과 기판 (반절연성 -GaAs (100))의 온도를 각각 590 ℃ , 440 ℃로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선 (DCRC) 으로 부터 구하였다. AgGaS2의 광흡수 스펙트럼으로부터 구한 온도에 의존하는 에너지 밴드갭 Eg(T)는 Varshni 공식에 fitting한 결과 Eg(T) = 2.7284 eV - (8.695 × 10-4 eV/K)T2/(T + 332 K)를 잘 만족하였다. 성장된 AgGaS2 단결정 박막을 10K에서 photoluminescience(PL) spectrum을 측정하여 결함의 기원을 알아보았다. |
| 저자 |
이기정, 홍광준
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| 소속 |
조선대 |
| 키워드 |
AgGaS2 단결정 박막; hot wall epitaxy법; 광발광; 이온화에너지
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