| 초록 |
사물 인터넷 기술의 확산과 함께 이를 기반으로 한 웨어러블 스마트 기기가 다양한 형태로 진화하고 있으며, 이에 따라 유연하고 신축 가능한 박막 트랜지스터, 에너지 저장 소자 등 유연 반도체에 대한 연구가 전 세계적으로 활발히 진행되고 있다. 그 중 실리콘 기판 위에 제작된 박막 트랜지스터와 마찬가지로 유연 기판 위에 제작된 박막 트랜지스터의 경우에도 threshold voltage, mobility, on/off ratio 등의 특성이 중요하며, 소자의 변형에 의하여 트랜지스터의 동작 특성이 변하게 된다. 따라서 유연 트랜지스터를 구성하는 재료에 대하여, 재료의 변형에 따른 특성 변화를 측정하는 유연 소자의 특성평가가 필수적이다. 본 연구에서는 mobility ~ 2 cm2/Vs, Vth ~ 25 V, Ion/off ~ 105 의 특성을 가지는 ZnO 트랜지스터를 저온 공정을 통하여 제작하였고, 2축 변형을 가할 수 있는 시험기를 사용하여 트랜지스터를 구성하는 재료의 기계적인 변형에 따른 전기적 특성 변화를 평가하였다. 이 결과를 바탕으로 유연 박막 트랜지스터의 파손 메커니즘을 이해할 수 있으며, 이것은 향후 유연 전자 기기에 사용되는 고신축성 유연 박막 트랜지스터를 설계할 때에 도움이 될 것으로 기대된다. |
