| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (04/22 ~ 04/23, 여수대학교) |
| 권호 | 11권 1호, p.843 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Preparation of TaN thin film By H2 Plasma Assisted Atomic Layer Deposition usingTert-butylimino-tris-ethylmethylamino tantalum |
| 초록 | TaN 확산 방지막 제조를 위하여 신규 유기금속 전구체인 TBTEMAT (Tert-butylimino-tris-ethylmethylamino tantalum)와 수소 플라즈마를 사용하여 플라즈마 원자층 증착법을 평가하여 보았다. 평가된 공정 변수는 전구체 및 대응 반응물의 주입시간, 플라즈마 노출 시간, 플라즈마 파워 및 플라즈마 가스 조성이었다. 증착온도는 원자층 증착이 일어나는 온도로 판단된 250℃에서 이루어 졌으며, 성막된 박막의 전기적 특성 (대기 안정성), 조성, 결정성, 그리고 확산 방지막 특성에 대하여 살펴보았다. |
| 저자 | 김등관, 김도형 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | ALD; H2 plasma ALD; diffusion barrier; TaN |
| 원문파일 | 초록 보기 |
