| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 봄 (04/27 ~ 04/28, 연세대학교) |
| 권호 | 7권 1호, p.2126 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Cl2/Ar 유도결합 플라즈마를 이용한 ZnO박막의 식각 특성 |
| 초록 | Zinc Oxide (ZnO)는 우수한 전기적, 광학적, 압전 특성으로 인하여 지난 수십년동안 연구가 진행되고 있는 재료로써 투명 전극(transparent conductive oxide), 광소자, 및 음향소자(surface acoustic wave)로의 응용 가능성이 있다. 특히 3.37 eV의 넓은 밴드갭을 갖고 있고, Mg 등의 첨가에 의해 밴드갭을 4 eV까지 변화시킬 수 있다. ZnO는 또한 상온에서 60 meV 의 높은 exiton 결합 에너지에 의해 UV를 방출할 수 있기 때문에 초록에서 자외선 영역의 LED 및, 레이저 다이오드를 개발할 수 있어 각종 display 장치 및, 통신, 고밀도 정보 저장장치등, 단파장 광원으로 사용될 수 있는 차세대 광소자용 재료로 주목받고 있다. 현재 GaN를 기본으로 하는 III족 질화물에 대한 광소자 연구가 활발히 진행되어 응용 단계까지 도달하였으나, ZnO는 GaN에 비해 상온 및 고온에서 동작할 수 있는 광소자를 개발할수 있는 장점이 있다., 또한 대부분의 GaN 기반 질화물은 박막성장시 1000oC 이상의 고온이 요구되지만 ZnO는 500oC정도의 비교적 낮은 온도에서 박막을 성장할수 있어 GaN에 비해 에피 성장시 용이한 장점을 갖고 있다. 본 연구에서는 Planar type 유도결합 Cl2/Ar 플라즈마를 사용하여 여러 플라즈마 공정변수들을 변화시키면서 ZnO박막을 식각하였다. 식각 공정 변수들이 식각 속동와 ZnO 박막의 광학적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. |
| 저자 | 박진수1, 임연호2, 최창선, 김태희, 한윤봉 |
| 소속 | 1전북대, 2반도체과학기술학과 |
| 키워드 | plasma; ICP; etching; ZnO |
| 원문파일 | 초록 보기 |
