| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5151 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | ZnO박막의 Cl2/Ar, Cl2/H2/Ar, CH4/H2/Ar을 이용한 플라즈마 식각 |
| 초록 | ZnO는 우수한 전기적, 광학적, 그리고 압전 특성으로 인해 지난 수 십년 동안 많은 연구가 수행되고 있는 재료로서, 표면 음향 소자(SAW), 투명 전극(TCO), 광소자 등에 응용 가능성이 크다. 특히 ZnO는 CdO나 MgO를 첨가함으로써 2.8 - 3.3eV, 3.3 - 4eV의 밴드갭을 변화시킬수 있기 때문에 자외선 영역의 레이저 (laser)를 발진할 수 있는 차세대 광소자용 재료로 주목받고 있다. 또한 ZnO는 Ga과 N를 이용한 codoping으로 p-type도핑의 가능성을 보여 광소자 개발의 가능성을 보였다. 본 연구에서는 건식식각 방법중 ICP를 이용하여, Cl2/Ar, Cl2/H2/Ar, CH4/H2/Ar의 기체를 식각기체로 이용하여 각 식각기체의 조성을 변화시키면서 그에 따른 ZnO 박막의 식각 특성을 고찰하였다. |
| 저자 | 박진수, 한윤봉 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | ZnO; Dry etching; plasma; ICP |
| 원문파일 | 초록 보기 |
