화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트)
권호 13권 1호
발표분야 반도체재료
제목 CFR법을 이용한 니켈옥사이드 박막 제조
초록 니켈 옥사이드는 전이금속 산화물로서 3.6-4.0 eV의 밴드 갭을 가지는 p형 반도성 산화물이다. 니켈옥사이드는 화학적 안정성이 높고, 광학적 성질과 자성, 전기적 특성이 우수하여 가스 센서(gas sensors), 전지 전극(battery cathode), 스마트 윈도우(smart window), 광전자 촉매(photoelectron catalyst), 태양 전지(solar cells) 등 다양한 적용 분야를 가지고 있다.
니켈 옥사이드 박막은 현재까지 열증착법(Thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering), 스프레이 열분해(spray pyrolysis),졸-겔(sol–-gel), 화학증기증착(chemical vapor deposition), 전기화학적 증착(electrochemical deposition), 그리고 화학적 용액 성장법(chemical bath deposition)등 다양한 방법에 의해서 제조되어왔다. 그 중에서 화학적 용액 성장법은 100 ℃ 이하의 낮은 온도에서도 금속 전구체 이온을 담고 있는 용액에 준비한 기판을 단순히 담금으로서 원하는 결과물을 얻을 수 있는 장점이 있는 반면, 박막 성장 시 반응을 제어하는데 어려움이 있다. 그 결과 얻어지는 결과물 역시 표면이 다소 거칠고 두꺼운 경향을 가진다. 이러한 CBD 방법에서의 문제점을 보완하고자 연속흐름반응기(continuous flow reactor ; CFR)를 도입하여 니켈 옥사이드 반도체 박막을 합성하였다. CFR법으로 증착된 니켈 옥사이드 박막은 XRD 분석을 통하여 결정방향성을 알아보았고, SEM 분석을 통하여 박막의 표면 이미지 분석을 하였으며, 박막의 두께를 알기 위한 ALPHA STEP 분석과 입자의 크기를 알가 위해 TEM 분석을 수행하였다.
저자 배은진1, 정지영1, 한승열2, 이태진1, 류시옥1, Chih Hung Chang2
소속 1영남대, 2오레곤 주립대
키워드 니켈옥사이드 박막; CFR(continuous flow reactor)
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