화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 1997년 가을 (10/24 ~ 10/25, 충남대학교)
권호 3권 2호, p.3229
발표분야 재료
제목 회전도포법에 의한 텅스텐금속박막의 제조와 응용
초록 본 연구에서는 Si-wafer위에 회전도포법으로 Inorganic Peroxopolytungstic Acid(IPA)박막을 제조하고, 이 막을 수소분위기하에서 가열하여 환원하므로써 텅스텐 금속막을 얻었다. 이 막의 Electric resistivity는 기존의 CVD방법으로 만든 텅스텐 금속막의 값보다 크지만, 고가의 고진공 장치가 필요없는 회전도포법에 의해 금속막이 제조될 수 있다는 큰 장점을 갖고 있어, 전도성의 개선 여하에 따라 획기적인 원가절감 공정으로의 가능성이 기대되는 방법이라 하겠다. 한편, IPA박막은 deep UV, 전자선, X선등의 조사에 의해 비노광부가 선택적으로 용해되는 무기감광물질로의 특성도 가지고 있어서, 차세대 고집적회로에서중요시되는 다층 resist법(MLR)에의 응용도 가능하다. 이에 본 연구에서는 최대 전도성을 갖는 금속막 제조법의 최적화 및 IPA의 무기resist로의 가능성 검토를 목적으로 하였다.
저자 이정호, 이관영
소속 고려대
키워드 Spin coating; Tungsten metal film; Inorganic Photoresist
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