| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2019년 봄 (05/01 ~ 05/03, 부산 벡스코(BEXCO)) |
| 권호 |
23권 1호 |
| 발표분야 |
에너지저장·변환_포스터 |
| 제목 |
Gallium treatment for improving VOC in low temperature2-step CIGS process |
| 초록 |
CIGS 광흡수층을 제조하기 위하여 Mo/CuGa/In 구조를 갖는 전구체를 기판 위에 적층하고 500도 이하의 온도에서 열처리하였다. 하지만 저온 열처리 공정이라는 한계 때문에, 흡수층 박막이 재결정화 하는 동안 원소들의 내부 이동이 원활하게 이루어지지 않고 Ga 원소가 후면전극과 CIGS 광흡수층 계면영역에 몰려있는 특징을 관찰하였다. 일반적으로 흡수층 박막 내부의 Ga 조성비 제어를 통해 밴드갭을 제어하는 CIGS 태양전지 구조에서 이러한 Ga의 몰림현상은 소자 특성의 저하를 야기한다. 이를 개선하기 위하여 열처리 공정 후에 Ga을 추가 공급하는 방법을 연구하였다. 이러한 방법을 통해 CIGS 광흡수층 표면의 밴드갭을 제어하고, 소자의 개방전압을 향상시킬 수 있었다. This work was supported by the DGIST R&D Programs of the Ministry of Science, ICT & Future Planning of Korea (19-BD-05) and the Technology Development Program to Solve Climate Changes of the National Research Foundation (NRF) funded by the Ministry of Science and ICT, KOREA (2016M1A2A2936781). |
| 저자 |
전동환, 황대규, 양기정, 김영일, 김대환, 강진규
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| 소속 |
DGIST |
| 키워드 |
CIGS; Solar cell; 2-step process; low temperature; Gallium treatment; Voc
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| E-Mail |
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