화학공학소재연구정보센터
학회 한국고분자학회
학술대회 2004년 가을 (10/08 ~ 10/09, 경북대학교)
권호 29권 2호, p.702
발표분야 분자전자 부문위원회
제목 Al2O3 and polymer dielectrics of OFET using aqueous anodizing method
초록 OFET의 전하 mobility 와 on/off ratio, source 전극과 drain 전극 사이의 전류 밀도를 증가시키기 위해 Al2O3 와 polymer dielectrics 을 절연층으로 OFET을 제작하였다.

유전층으로 사용되는 Al2O3 는 높은 유전률 및 우수한 절연성을 가지고 있어 유전층의 capacitance를 증가시켜 전하 이동성을 향상시키고 전류 밀도를 증가시킬 수 있다. 또한 높은 절연성은 게이트 전극으로의 leakage current를 줄여 on/off ratio를 향상시킬 수 있다.

본 실험에서는 기존의 sputtering 방식의 Al2O3 박막 성장 방식과는 달리 수용액 상에서 알루미늄 박막을 anodizing 함으로써 Al2O3 박막을 형성시켰다. 이러한 방법은 sputtering 방식에서 이용되는 plasma 진공 장치 없이 Al2O3 산화막을 만들 수 있어 제작 공정이 간단하고 상온의 수용액 상에서 제작되므로 flexible 기판으로 사용되는 여러 고분자 물질을 substrate 로 사용할 수 있다는 장점이 있다. 하지만 전기화학적으로 생성된 산화막은 표면이 거칠기 때문에 유기 반도체 물질의 결정화를 방해할 수 있으며 anodizing 과정에서 산화막 표면을 균일하게 할 수 있는 공정의 최적화 과정이 필요하다. 이를 위해 코팅성이 뛰어나며 평탄성이 좋은 폴리머를 박막 코팅함으로써 표면의 roughness를 줄여 유기 반도체 물질의 결정화를 향상시킬 수 있었다.
저자 신권우, 양상윤, 박찬언
소속 포항공과대
키워드 OFET; Al2O3; anodizing; polymer dielectrics
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