| 초록 |
산화물 박막 트랜지스터(TFT, Thin Film Transistor)의 대표적인 특징은 가시광 영역에서 높은 투과도를 보이며, 기존 LCD에 쓰이는 비정질 실리콘 기반의 TFT에 비해서 높은 이동도를 나타낸다는 점이다. 특히 IGZO, ZnO 와 같은 n-type 산화물 TFT에 대해 활발하게 연구되고 있으나 이에 비해 p-type 산화물 TFT에 대한 연구는 상대적으로 부족한 실정이다. p-type 산화물 TFT 연구는 디스플레이 측면에서뿐만 아니라 CMOS, 투명 태양전지 등의 응용이 가능해질 것이며 앞으로 중요한 기술이 될 것이다. 따라서 본 연구에서는 RF magnetron sputtering을 이용하여 p-channel 특성을 가진 CuO 박막을 증착한 후 e-beam evaporator를 이용한 Ni 전극을 통해 트랜지스터를 제작하였다. 그리고 다양한 온도에서의 열처리 및 광화학적인 수소 도핑 전후 조건들에 따른 CuO-TFT의 광학적, 전기적 특성을 규명하였다. 이를 위해 XRD(X-ray Diffraction), SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy), IV spectroscopy 등의 측정장비를 이용하였다. |
