| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Block Copolymer Micelle 템플릿을 이용한 Metal Nanocrystal Floating Gate Memory 특성 연구 |
| 초록 | 자기 조립된 diblock copolymer micelle은 PS(polystyrene)과 PVP(polyvinyl pyridine)을 합성한 것으로 PVP에 metal을 합성하여 diblock copolymer micelle을 제거하면 metal nanocrystal을 제작할 수 있다. 우리는 이러한 diblock copolymer micelle 템플릿을 이용하여 Co 및 Au nanocrystal을 합성하여 플래시 메모리의 charge trap layer로 제작하였다. Co및 Au를 포함한 diblock copolymer micelle을 HfO2 tunneling oxide(4nm)를 증착한 p-type Si(100) 기판 위에 합성하였다. Micelle 템플릿은 O2 플라즈마에 의해서 쉽게 제거가 되며, 이로 인하여 Co의 경우 산화가 되어 Co3O4가 된다. 이를 환원 시키기 위하여 H2 열처리를 300°C에서 30분동안 진행하였고, XPS를 통하여 Co2p3/2가 781eV에서 778eV로 이동하여 환원된 것을 확인하였다. Blocking oxide(15nm)를 tunneling oxide와 같은 HfO2를 증착하고, 전극으로 Pt를 증착하였다. Co 및 Au nanocrystal은 SEM image를 통하여 균일하게 형성 되었으며 각각의 크기와 밀도는PS와 PVP의 분자량에 의해 조절 되는 것을 확인을 하였다. 소자 특성으로 열처리 특성 및 밀도의 변화의 영향에 의한 전기적 특성을 확인하였다. |
| 저자 | 이치영1, 권정화2, 정석진1, 이장식1, 손병혁2, 이재갑1 |
| 소속 | 1국민대, 2서울대 |
| 키워드 | micelle; flash memory; Co; Au; nanocrystal |
