| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Fe를 촉매로 사용하여 CVD법에 의해 성장된 SiC 나노로드 및 나노와이어 |
| 초록 | 각종 나노와이어의 성장연구가 국내 및 국외에서 활발히 이루어지고 있으며, 산화물 및 질화물 또는 탄화물 나노로드와 나노와이어의 연구가 꾸준히 진행되었다. 또한 이러한 나노와이어를 이용한 전자소자 및 디스플레이 소자로의 응용연구가 활발히 이루어지고 있으며, 센서 등 새로운 활용분야가 꾸준히 개척되고 있다. SiC는 전기적, 열적 특성이 우수하여 고온, 고주파, 고출력 반도체 소자로서 주목 받고 있다. 또한 우수한 물리적, 화학적 특성을 가지고 있어 고온과 부식성 환경 등 열악한 환경에서도 작동 가능한 소자재료로서 개발이 이루어지고 있다. SiC 나노로드를 성장시키기 위하여 할로겐램프가 설치된 반사로 또는 Graphite가 발열체로 장착된 원통형 Chamber를 사용하였다. SiC 나노로드의 성장기판으로 사용될 Si wafer (n-type, Boron doped)를 1cm * 1cm 또는 1inch * 1inch의 크기로 절단한 후 표면의 이 물질을 Ishizaka와 Shiraki가 제안한 세척방법을 사용하여 세척하였다. 촉매 금속 Fe를 sputtering에 의하여 증착시킨 후 HMDS를 사용하여 850°C 이상해서 10분간 성장시켰다. wafer를 반응로 또는 원통형 Chamber 안에 장입한 후 내부의 잔류 불순물과 산소를 제거하기 위하여 Ar gas로 퍼징 하였고 전구체는 H2 gas를 carrier gas로 사용하여 bubbling 방식을 사용하여 흘려주었다. 실험 중에 원료물질의 높은 농도에 의한 불활성화 작용을 억제하기 위하여 희석가스로서 H2를 흘려주었다. |
| 저자 | 이정휴, 이경훈, 김재수 |
| 소속 | 한국과학기술(연) |
| 키워드 | SiC; 나노로드; 나노와이어; CVD |
