| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 가을 (10/24 ~ 10/26, 서울대학교) |
| 권호 | 8권 2호, p.5274 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | MHVPE법을 이용한 GaN성장에서의 전처리 공정에 관한 연구 |
| 초록 | 본연구는 sapphire 기판위에 GaN의 성장에 있어서 격자상수 불일치, 열팽창계수의 차이로 인해 생기는 GaN의 단결정 성장에서의 여러 문제점을 줄이기 위해 main GaN의 성장 전에 필요한 전처리 공정에 관한 연구이다. 전처리 공정중 seed GaN growth의 최적 공정 조건을 찾기위해 growth time의 변화, growth temp.의 변화, V/III ratio등을 변화 시켜가며 최적의 공정조건을 찾아보았다. |
| 저자 | 한승훈, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | GaN; seed growth |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
