| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1999년 가을 (10/22 ~ 10/23, 경남대학교) |
| 권호 | 5권 2호, p.4517 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | TEOS/O2 PECVD에 의한 산화막과 SiO2/Si 계면특성 |
| 초록 | TEOS/O2 PECVD을 이용하여 저온 공정에서 산화막을 증착하고 증착온도와TEOS/O2 유량비에 따른 산화막의 전기적 특성과 계면 특성에 대해 살펴보았다. |
| 저자 | 김효욱, 이시우 |
| 소속 | 포항공과대 |
| 키워드 | TEOS; PECVD; GATEOXIDE; INTERFACE |
| 원문파일 | 초록 보기 |
