| 초록 |
나노기술의 발달과 함께 산업에서의 다양한 나노입자의 응용을 위한 나노입자의 분석기술 개발이 중요해지고 있다. 본 연구에서는 AC 임피던스 스펙트로스코피와 원자 힘 현미경을 결합하여 나노 규모의 반도체성 나노입자 표면분석 연구를 진행하였다. 나노 입자의 표면분석을 위해 측정모델로서 양이온 교환 반응 (cation exchange reaction)을 이용하여 셀레늄 표면에 서로 다른 셸(Ag2Se, CdSe, ZnSe)로 구성된 코어-셸 구조의 반도체성 나노입자를 제작하였으며, 각각의 나노 입자로부터 측정된 전기 신호를 전기회로 모델링을 통하여 나노 규모에서의 반도체성 나노입자 표면의 전기화학적 현상을 분석하였다. 그 결과 셀레늄 입자 표면의 각각 다르게 구성된 반도체성 셸은 서로 다른 캐퍼시턴스와 기생 인덕턴스를 가짐이 확인되었으며, 이러한 나노 규모에서의 전기적 현상을 재료의 특성과 구조적인 관점에서 분석하였다. 이러한 분석을 통하여 임피던스 스펙트로스코피-원자 힘 현미경 복합 시스템을 이용하여 나노입자 표면의 전기화학적 분석이 가능함을 제시하였다. |
