| 초록 |
기존 이용되고 있는 비정질 셀레늄(amorphous selenium)은 X선에 대해 전자-정공쌍을 만들기 위한 에너지(W)가 높고, 수 kV 이상의 고전압 구동에 의한 검출기의 수명단축 등의 약점이 보고되고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 최근 HgI2, PbI2, CdZnTe 등의 반도체 화합물을 이용한 직접변환방식의 디지털 방사선 영상 검출기에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 HgI2 필름의 열처리 온도 및 분위기에 따른 특성 변화를 조사하였다. 시편은 제조공정이 간단하고 영상 검출기 적용을 위해 대면적 후막 형성이 가능한 침전법을 이용하였고, 열처리 온도는 50° ~ 90°이며, 열처리 분위기는 수소, 질소, 일반 공기를 이용하였다. XRD 및 SEM을 이용하여 HgI2 필름의 구조 및 형상변화를 관찰하고, X선에 대한 검출 특성을 조사하기 위해 인가전압에 따른 누설전류, X선에 의한 감도(Sensitivity) 및 신호대 잡음비(SNR)를 측정하였다. 본 연구를 통해 침전법을 이용하에 제작된 HgI2의 열처리 조건에 따른 물리적, 전기적 특성 변화 고찰하였으며, 향후 대면적 HgI2 영상 센서 개발의 기초자료로 활용될 수 있을 것으로 기대된다. |
