| 초록 |
ZnO는Ⅱ-Ⅵ2족 화합물 반도체로서 상온에서 에너지 띠 간격이 3.37 eV인 직접 천이형 반도체로서 LED(light emitting diodes) , LD(laser diode), 음향변조기, 광도파관, 표면 탄성파 필터 등에 응용성이 기대되고 있어 주목되고 있는 물질이다. 본 연구에서는 PLD법으로 Al2O3 기판 위에 ZnO 박막을 성장시켰으며, 결정성은 PL의 exciton emission 스펙트럼과 이중 결정 X선 요동 곡선(double crystal X-ray rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)를 측정하여 알아보았다. 성장된 ZnO 박막을 Zn 증기 분위기, oxygen 및 vacuum 분위기에서 각각 열처리한 후 광발광 스펙트럼을 측정하고 분석하여 이러한 열처리 결과가 중성 주개에 구속된 exciton(D0,X)과 중성 받개에 구속된 exciton(A0,X)에 의한 복사 발광 봉우리 I2(D0,X)와 I1(A0,X) 및 SA emission에 의한 PL 봉우리에 어떤 영향을 미치는가를 연구하였다. |
