| 초록 |
본 연구에서는 가스센서로 활용하기 위해 실리콘 기판 위에 ZnO 박막과 ZnO nano-rod성장을 하였으며, 이에 대한 H2S 가스 감응도에 대해 조사되었다. 먼저 ZnO 박막은 CFR (continuous flow reactor)법에 의해 실리콘 기판위에서 성장되었으며, 성장된 ZnO 박막위에 활성탄에 ZnO의 전구물질을 담지시켜, 제조한 전구물질을 이용하여 ZnO nano-rod를 에피 성장하였다. 이 때 전구물질의 Zn함량을 10-40 wt%로 조절하여 ZnO nano-rod를 성장시켰다. 이러한 다양한 조건에 의해 성장된 각각의 ZnO nano-rod는 Zn의 함량이 높을수록 rod의 크기가 가늘고 길어지는 것으로 관찰되었다. 이에 대한 전기적 특성분석을 수행한 결과, Zn함량이 높을수록 I-V curve 기울기가 커졌고, 50 ppmv H2S 가스를 노출시킨 뒤 전기적 특성 분석을 해본 결과 함량이 높을수록 감도가 좋음이 확인되었다. 또한 nano-rod의 결정성장 특성에 영향을 받는다는 것이 확인되었다. 본 연구에서는 CFR법과 thermal evaporation 방법에 의해서 성장된 ZnO nano-rod의 크기에 따라 어떤 차이점을 지니는지 조사되었다. |
