| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 23권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 저주파 잡음 모델분석을 통한 MoS2 전계효과 트랜지스터의 신뢰성 특성연구 |
| 초록 | 전계효과 트랜지스터(FET) 의 신뢰성은 디바이스로 사용하는데 있어 중요한 이슈이다. 아무리 디바이스 성능이 우수하더라도, 신뢰성이 뒷받침되지 않으면, 가치를 인정받기 어렵다. 최근 2D 물질을 이용한 반도체에 대한 많은 연구가 이루어지고 있으며, 그중에 MoS2(Molybdenum disulfide)는 차세대 반도체 소자로 각광받고 있다. 우리는 MoS2 를 이용한 FET 벌크 플레이크의 박리법을 이용하여 제작하였고, 트랜지스터에 에이징(aging) 스트레스를 가하면서 특성을 분석하였다. 에이징 스트레스에 의한 반도체 소자의 성능저하의 원인을 분석하는데, Y-Function method 를 이용하여, FET의 전기적인 특성(electrical characteristics) 분석을 진행하였다. 또한 성능저하의 매커니즘 분석을 위하여, 저주파 잡음 모델(Low frequency noise model)을 사용하였다. MoS2 FET 를 스트래스 상황에서 드레인 전류의 노이즈 스펙트럼 밀도(Drain current power spectral density)를 측정하였으며, 이는 1/f 형태의 상관관계를 보이며, CNF(Carrier number fluctuation), HMF(Hooge mobility fluctuation) 모델의 데이터 피팅 분석을 통하여 주요한 원인을 유추하였다. |
| 저자 | 조영훈, 김규태 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | MoS<SUB>2</SUB>; Degradation; Low frequency noise |
