| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (05/02 ~ 05/04, 여수 엑스포 컨벤션) |
| 권호 | 20권 1호 |
| 발표분야 | 나노_포스터 |
| 제목 | 은 나노선(AgNWs)과 인듐-주석 산화물(ITO) 나노 분말 잉크 혼합층을 적용한 용액 기반 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO) 박막 트랜지스터(TFTs)의 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 합성한 ITO 나노분말을 분산한 잉크를 AgNWs와 혼합하여 IGZO TFTs의 Source와 Drain으로 적용, 특성을 관찰하였다. ITO 나노 잉크의 효과를 확인하기 위해 1층 (AgNWs), 2층 (AgNWs/ITO-NPs), 3층 (ITO-NPs/AgNWs/ITO-NPs)의 전극 구조로 TFTs 소자를 제작하고 특성을 평가하였다. 그 결과, AgNWs 1층을 전극으로 적용한 IGZO TFTs 소자에서의 Mobility는 약 0.013 cm2/Vs 이었으나, Ag NWs를 ITO-NPs과 혼합하여 제작된 2층과 3층 전극을 이용한 IGZO TFTs 소자에서는 Mobility가 약 0.440 ~ 1.704 cm2/Vs 로 향상되었다. Mobility가 향상된 메커니즘을 분석하기 위해 Simultaneous Extraction Model을 이용하여 I-V 커브로부터 접촉 저항을 계산하였으며, mobility가 증가할수록 접촉 저항이 낮아지는 결과를 확인하였다. 본 연구는 2014년도 산업통상자원부의 재원으로 한국산업기술평가관리원(KEIT)의 지원을 받아 수행한 연구 과제입니다 (No. 10048248). |
| 저자 | 김채원1, 이미정2, 홍성제1 |
| 소속 | 1전자부품(연), 2국민대 |
| 키워드 | AgNWs; ITO nano ink; IGZO |
