| 초록 |
실리콘 태양전지에 MoOx박막 증착공정을 통하여 Passivating and carrier-selective contact 효율을 증가 시킬 수 있다. MoOx박막은 Selectivity based on work function이 좋은 metal oxides이기 떄문이다. MoOx 박막을 증착하기 위해 Atomic Layer deposition(ALD)를 이용하며, ALD는 CVD대비 두께 및 조성조절이 용이하고 박막두께 균일도 확보가 쉬운 장점을 가지기 때문에 ALD를 이용하여 정밀하게 두께를 조절하고 얇은 두께의 박막을 증착하여 초박막 두께 및 균일도 제어 기술 개발을 하고자 한다. deposition temperature, source temperature, N2 flow, purge time 다양한 가변을 통하여 MoOx박막의 ALD window를 찾고 MoO3 박막의 표면 및 두께 균일도를 SEM과 ellipsometor를 이용하여 두께변화를 관찰하였고, XPS 측정을 통하여 화학적 결합을 측정 하였다. |
