| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 |
11권 2호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
반구 형태로 패턴된 사파이어 기판을 이용한 외부양자효율 개선 |
| 초록 |
GaN계 발광소자는 매질의 굴절률 차에 의해 외부양자효율이 10%를 넘지 못하는 단점이 있다. 외부양자효율을 개선하기 위하여 PSS(Patterned Sapphire Substrate)법을 사용하여 385nm 파장대를 갖는 UV-LED(Ultraviolet Light-Emitting Diode)소자를 제작하였다. 그 결과 패턴이 없는 기판위에 성장된 소자에 비하여, PSS위에 성장된 소자의 외부양자효율이 개선된 결과를 얻었다. ICP식각공정에서 ICP Power, RF Power, 압력, 온도 등의 조건을 변화시켜 Etch rate 90nm/min, Well angle 45deg를 만족하는 최적조건을 도출하였다. 실험에서 사용된 패턴은 Line/Space=3/3μm, Line/Space=3/2μm의 반구 형태이었다. PL, EL 및 I-V에 의하여 제작된 소자의 광학적, 전기적 특성을 평가하였다. 소자의 특성을 평가한 결과 패턴된 사파이어 기판을 사용한 소자의 외부양자효율이 약 50% 향상되었다. Line/Space=3/3μm의 패턴 위에 제작된 소자에 비하여 Line/Space=3/2μm의 형태를 갖는 소자로부터 좀 더 개선된 특성을 보여주었다. |
| 저자 |
이종재1, 김상묵2, 김광철2, 이상헌2, 전성란2, 이승재2, 김윤석2, 백종협2, 신동찬1
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| 소속 |
1조선대, 2한국광기술원 LED사업단 |
| 키워드 |
GaN계 발광소자; patterned sapphire substrate; UV-LED; 외부양자효율개선
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