| 초록 |
현대 반도체 산업의 성장에 따른 초고집적 (Ultralarge Scale Integration, ULSI) 회로의 출현은 금속 배선 공정 (metallization) 의 중요성을 더욱 증대시키고 있으나, 종래의 알루미늄을 기반으로 한 물리적 증착 공정 (Physical Vapor Deposition, PVD) 은 이러한 기술적인 요구에 부합하지 못하고 있다. 이에 반하여 유기금속 화학증착법 (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 에 의한 구리 박막의 증착은, 제조된 박막이 알루미늄에 비해 낮은 비저항을 나타내고 electromigration에 대한 저항성이 강하며, 좋은 step coverage 특성을 나타내기 때문에 현재 그 연구가 활발히 진행되고 있다.본 연구에서는 최근에 새로이 개발된 Cu(I) 전구체인 (hfac)Cu-ATMS (ATMS=allyltrimethylsilane) 를 이용하여 초고집적 회로용 구리 박막을 MOCVD 법으로 제조하고, 제조된 구리 박막의 특성을 알아보기 위하여 박막의 증착속도, 비저항, 조성, 표면 미세구조 등을 분석하고자 한다. 이를 통하여 이 전구체를 실제 공정에 적용하기 위한 여러가지 제반 사항을 습득하고자 한다.
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