| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/11 ~ 05/12, 계명대학교) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 무기재료 |
| 제목 | Dry Etching of IZO Thin Films Using a C2F6/Ar Plasma |
| 초록 | IZO 박막은 태양전지, 가스 센서, 평판 디스플레이 등의 투명전극으로, 또한 박막 트랜지스터와 전자발광 디스플레이와 같은 디스플레이 디바이스로 광범위하게 사용되고 있다. 최근에 IZO 박막의 식각 공정에 관하여 보고된 연구가 없으며, IZO 식각 공정 연구는 다양한 산업 분야에 응용되기 위해서 필수적으로 요구되어질 것이라고 생각된다. 본 연구에서는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각 장비를 사용하여 IZO 박막을 식각하였다. IZO 박막은 magnetron sputtering 증착 방법을 통하여 2500 Å의 두께로 증착되었으며, 1.1 μm 두께의 photoresist에 의하여 패턴되었다. 패턴된 IZO 박막은 C2F6/Ar 혼합 가스로 식각 되었으며, 공정 변수로서 C2F6 가스의 농도, coil rf power, 기판에 가해지는 dc-bias voltage, 그리고 공정 압력이 선택되었고 이에 따른 식각 속도와 식각 프로파일이 관찰되었다. |
| 저자 | 조한나, 민수련, 이유에롱, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | IZO; dry etch. TCO |
