| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (04/20 ~ 04/21, 대구 인터불고 호텔) |
| 권호 | 12권 1호, p.931 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Cl2/Ar 가스를 이용한 ZnO 박막의 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각 |
| 초록 | Zinc oxide (ZnO)는 3.35 eV의 넓은 밴드 갭을 가진 반도체 물질로서 우수한 전기적 및 압전 특성을 나타내고 가시광선과 자외선의 짧은 파장 영역에서 우수한 광학적 특성을 나타낸다. 최근에 ZnO의 이러한 특성을 이용하여 투명 전도성 박막(transparent conductive films), 태양 전지 윈도우(solar cell window), 음향 소자(surface acoustic wave; SAW), MEMS waves device 그리고 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT) 등의 응용을 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 고밀도 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각을 통해 ZnO 박막의 식각 특성을 관찰하고 우수한 식각 프로파일을 형성시키고자 하였다. RF magnetron sputtering을 이용하여 증착되고 1.2 μm 두께로 photoresist (PR)를 사용하여 lithography 공정을 적용하여 패턴된 ZnO 박막은 식각 가스로써 Cl2 과 Ar 가스를 선택하여 식각되었다. 그리고 Cl2 가스의 농도, coil rf power, dc bias voltage, 그리고 공정 압력을 변화시켜서 ZnO 박막의 식각 특성을 조사하였다. 식각된 ZnO 박막은 surface profilometer를 이용하여 가스 농도와 식각 변수에 따른 식각 속도가 측정되었고, field emission scanning electron microscopy (FESEM)를 이용하여 식각 프로파일이 관찰되었다. 이러한 결과를 토대로 최적의 식각공정 조건을 찾고자 하였다. |
| 저자 | 민수련, 이장우, 조한나, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | Zinc oxide; inductively coupled plasma reactive ion etching |
| 원문파일 | 초록 보기 |
