| 초록 |
최근 차세대 메모리인 magnetic random access memory (MRAM)의 핵심소자인 magnetic tunnel junction (MTJ) stack의 contact hall 제작을 위한 전극 물질로서 우수한 전도성을 가진 titanium (Ti)이 이용되고 Ti 박막의 하드마스크로서 우수한 전도성을 나타내며 식각 속도가 낮은 platinum (Pt) 박막이 이용되고 있다. 본 연구에서는 e-beam 증착방법을 이용하여 증착된 Ti 박막과 Pt 박막을 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각 방법을 이용하여 식각하였다. 식각 가스로서 Cl2/Ar, HBr/Ar, 그리고 C2F6/Ar의 혼합가스를 이용하였고, 식각 변수로서 식각 가스의 농도, coil rf power, 기판에 가해지는 dc-bias 전압, 그리고 공정압력을 선택하였다. Ti 박막과 Pt 박막의 식각 속도와 식각 선택도는 surface profilometer에 의하여 측정된 식각 두께를 이용하여 계산되었고 이러한 결과를 토대로 Pt 하드마스크에 대하여 높은 식각 선택도를 나타내는 Ti 박막의 식각 공정을 개발하고자 하였다. |
