| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/04 ~ 11/06, 제주국제컨벤션센터(ICCJEJU)) |
| 권호 | 19권 2호 |
| 발표분야 | 디스플레이_포스터 |
| 제목 | 재생 인듐-주석 산화물(ITO) 나노분말 잉크를 적용한 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO) 박막 트랜지스터 (TFTs)의 특성 |
| 초록 | 인듐-갈륨-아연 산화물 (IGZO)를 이용하여 제작된 박막 트랜지스터 (TFTs)는 일반적으로 투명한 성질을 가지며 높은 전하 이동도를 가지는 것이 특징이다. 또한 IGZO의 큰 장점중 하나는 sol-gel방법을 이용한 용액공정이 가능하다는 점이다. 이처럼 용액 공정을 이용하게 되면 공정 단계가 단순해지며 그에 따라 공정 시간 또한 감소하게 되고 진공 장비가 필요 없기 때문에 공정비용이 감소하게 된다. 본 연구에서는 불용 ITO 타켓으로부터 인듐-주석 산화물(ITO)을 재생, 나노분말을 합성하였다. 그 후 이를 이용하여 ITO 잉크를 제작하였고, 잉크를 코팅하여 source와 drain 전극을 제작, bottom-gate top-contact 구조의 IGZO TFTs 소자를 제작하였다. 또한, 제작된 IGZO TFTs 소자의 특성을 측정하였고, 공정 변수에 따른 TFTs 소자의 변화를 관찰, 최적의 조건으로 접근하였다. 감사의 글 본 연구는 2014년도 산업통상자원부의 재원으로 한국산업기술평가관리원(KEIT)의 지원을 받아 수행한 연구 과제입니다 (No. 10048248). |
| 저자 | 홍성제, 김채원 |
| 소속 | 전자부품(연) |
| 키워드 | Indium-galium-zinc oxide (IGZO); ITO nanoink; Thin-film transistors (TFTs) |
