| 초록 |
2011년에 PLS (Pohang Light Source)는 PLSI에서 PLSII로 성능 향상을 하였고, 광원의 변경됨에 따라 3기의 소각 X선 산란 빔라인도 성능을 향상시켰다. 3기의 소각 X선 산란 빔라인은 3C SAXSI, 4C SAXSII, 9A USAXS 빔라인이며, 2012년에 시운전을 완료한 후, 내, 외국 연구자들에게 개방하여 현재 운영 중에 있다. 고분자, 콜로이드, 액정과 같은 물질의 거대 구조 분석을 위해, 이 빔라인들은 설계되어졌으며, 기생 산란(Parasitic scattering)이 없도록 X선 빔을 시준한 후, 시료 위치에서 수백 μm 이내의 작은 빔사이즈와 1013 photons/sec/mm2 수준의 고강도 빔을 갖게끔 최적화 하였다. 3C SAXSI 빔라인에서는 수 nm 에서 수백 nm 두께를 가진 박막에 대해 0.3 nm에서 200 nm 이하의 표면 또는 interface 구조 분석 실험을 가능하게 하였고, 4C 빔라인에서는 액상에서 0.3 nm 분해능을 갖고 최대 100 nm 크기를 갖는 입자 크기 분석 실험을 가능하게 하였다. 특히 9A 빔라인에서는 수십 마이크로 사이즈의 작은 빔을 사용하여 고분해능 WAXS 실험 또는 400 nm 수준 까지의 극소각 실험을 가능하게 하였다. 본 발표에서는 이들에 대해 기술하고자 한다. |
