| 초록 |
저온 다결정 실리콘 박막은 박막 트랜지스터와 실리콘 태양전지등에 응용되고 있다. 다결정 실리콘 박막은 비정질 실리콘을 재결정화하는 방법이 주로 이용되고 있다. 금속유도결정화법은 비정질 실리콘 박막을 금속 원소와 접촉시킨 상태에서 열처리할 때 결정화 온도가 낮아지고 결정화에 필요한 열처리 시간이 짧아지는 효과를 이용한 방법이다. 금속을 실리콘 박막 표면에 가하는 방법은 진공증착법등으로 비정질 실리콘 박막 위에 금속원소 층을 형성하는 방법이 주로 이용되었다. 본 연구에서는 NiCl2 금속화합물 분위기에서 LPCVD 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정화 거동을 관찰하였다. NiCl2를 가열하여 금속화합물 분위기를 형성하고 비정질 실리콘의 열처리를 통하여 결정화를 완료하였다. 비정질 실리콘 박막은 480℃ 5시간 열처리로 결정화가 완료되었으며, 박막 전체에 걸친 균일도와 재현성이 우수하였다. 또한 기존의 금속유도 결정화에 비해 표면 거칠기가 매우 우수하고, 박막내부의 금속잔류량도 작았다. 결정화된 다결정 실리콘 박막으로 박막 트랜지스터를 제조하여 전기적 특성을 확인하였다 . |
