화학공학소재연구정보센터
번호 제목
85 고품질 InGaN 나노 와이어 이중접합 구조의 에피택시 모델링
김성운, 권혜영, 신동욱, 라용호
한국재료학회 2021년 봄 학술대회
84 Bottom-up InGaN nanowire integrated nanophotonics
라용호
한국재료학회 2020년 봄 학술대회
83 Broadband gain InAs/GaAs quantum dots grown on Si by molecular beam epitaxy
정대환
한국재료학회 2019년 가을 학술대회
82 Self-separation of GaN Layer Grown by HVPE on MOCVD-GaN/Sapphire Substrates with Implantation of Hydrogen Ion on MOCVD-GaN Layer
이재언, 심재형, 박진성, 심태헌, 박재근
한국재료학회 2018년 가을 학술대회
81 Growth of Epitaxial ZnSnN2 Films on Al2O3 Substrate
Duc Duy Le, Soon-Ku Hong, Trong Si Ngo, Jeongkuk Lee
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
80 Characterization of Gallium Oxynitride (GaxOyNz) films grown on C-plane sapphire substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy
Trong Si Ngo, Duc Duy Le, Soon-Ku Hong
한국재료학회 2018년 봄 학술대회
79 Epitaxy growth of α-Ga2O3 films on A-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Trong Si Ngo, Duc Duy Le, Soon-Ku Hong
한국재료학회 2017년 가을 학술대회
78 Growth and characterization of Ga-doped, In-doped and Ga, In co-doping ZnO films grown on c-plane sapphire
Duc Duy Le, Trong Si Ngo, Jeongkuk Lee, Soon-Ku Hong
한국재료학회 2017년 봄 학술대회
77 Characterization of Sn-doped β-Ga2O3 films grown on c-plane sapphire by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
Trong Si Ngo, Duc Duy Le, JeongKuk Lee, Soon-ku Hong
한국재료학회 2017년 봄 학술대회
76 Analysis on epitaxially grown AlInSb layers using MOCVD for AlInSb/InSb barrier infrared photodetectors
박환열, 금대명, 박용조, 윤의준
한국재료학회 2016년 가을 학술대회