화학공학소재연구정보센터
번호 제목
2 Electrical Characterization of Atomic Layer Deposited La2O3 Capped HKMG Devices
임동환, 정우석, 최창환
한국재료학회 2014년 가을 학술대회
1 Solid phase reaction을 통해 제조한 HfSiON 의 특성|Characterization of HfSiON as gate dielectrics fabricated by solid phase reaction
고한경, 이태호, 김철성, 안진호
한국재료학회 2004년 가을 학술대회