| 번호 | 제목 |
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GaN LED 소자를 위해 PSS상에 성장된 AlN Buffer Layer의 특성에 관한 연구 강병훈, 이창민, 김대식, 이제행, 조성찬, 이도한, 변동진 한국재료학회 2013년 가을 학술대회 |
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The effect of AlN Buffer Layer in GaN films on Patterned Sapphire Substrate 이창민, 이제행, 이도한, 김대식, 강병훈, 조성찬, 변동진 한국재료학회 2013년 가을 학술대회 |
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다양한 이온 주입에 의해 전처리한 사파이어(0001) 기판에 성장시킨 GaN 에피층의 열처리 효과|Aannealing effects of pre-treated sapphire(0001) substrate using various ion-implantation for GaN epilayers growth 이재석, 진정근, 강호재, 박현규, 노대호, 변동진, 고의관 한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
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이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111) 강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
