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번호	제목
20	자기 배열법을 이용한 ZnO 나노선 air-gap 구조 트랜지스터 개발 (Development of ZnO nanowire air-gap FETs by using magnetic alignment) 이상원, 함문호, Jyoti Prakash Kar, 명재민 한국재료학회 2007년 가을 학술대회
19	나노선 소자 응용을 위한 GaN 나노선의 전기적 배열 방법 연구 (Assembly of GaN nanowires based on electric fields for nanowire device applications) 이재웅, 문경주, Jyoti Prakash Kar, 함문호, 명재민 한국재료학회 2007년 가을 학술대회
18	증착 온도 변화에 따른 ZnO:Ga 박막의 수소 열처리에 관한 특성(Effects of H₂ ambient annealing in ZnO:Ga thin films deposited with different temperature) 김성연, 장현우, 방정식, 명재민 한국재료학회 2007년 가을 학술대회
17	무전해도금법에 의한 p-InGaAs의 Pt 오믹 접촉 임흥수, 구본흔, S. E. Mohney, E. M. Lysczek, 이찬규 한국재료학회 2007년 가을 학술대회
16	Electronic Band Structure and Photocatalytic Activity of Rh-doped SrTiO₃ 배상원, 장점석, 지상민, 홍석준, 전휘찬, 장지욱, 이재성 한국화학공학회 2007년 봄 학술대회
15	InGaN/GaN single quantum well의 광학적 특성 및 전기적 특성의 변화에 미치는 ion beam 조사의 영향 (Influence of ion beam bombardment of sapphire substrate on optical and electrical characteristic of InGaN/GaN single quantum well) 최승규, 장재민, 정우광 한국재료학회 2007년 봄 학술대회
14	SiO₂ RF power와 증착 시간 변화에 따른 고유전 TiO₂-SiO₂ 절연막의 특성(Effects of SiO₂ RF power and deposition time in high-k TiO₂-SiO₂ dielectric layers) 김성연, 함문호, 명재민 한국재료학회 2007년 봄 학술대회
13	Mg을 도핑한 GaN 나노선의 합성과 소자 특성(Synthesis and characteristics of Mg-doped GaN nanowires device) 이재웅, 함문호, 명재민 한국재료학회 2007년 봄 학술대회
12	HfO₂ 게이트 유전막을 이용한 GaN 나노선 FET의 특성(Characteristics of GaN nanowire transistors with hafnium oxide dielectrics) 이재웅, 함문호, 명재민 한국재료학회 2006년 가을 학술대회
11	암모니아 주기적 중단에 의한 자기조립 InGaN 양자점 형성(Fabrication of self-assembled InGaN Quantum Dots by ammonia periodic interrupt) 최승규, 장재민, 이성학, 김정아, 정우광 한국재료학회 2006년 가을 학술대회